cvdダescヤモンド
半導体レ，ザ用サブマウント，パワ，トランジスタ用基板等
CVD(化学气相沉积)法によって得られるバインダーを含まない多結晶ダイヤモンドです。チップマウント，ワaaplヤボンディング用の各種メタラaaplズ薄膜を形成することが可能です。
| 材質 | 特長 | 平均線膨張係数 保留时间~ 100℃(ppm / K) |
熱伝導率r.t。[W/(m·K)] |
|---|---|---|---|
| cvdダescヤモンド | CVD(化学气相沉积)法による,厚み0.1 ~ 0.4毫米のダイヤモンドのヒートシンクです。 | 2．3 | ＞1000 |