碳化硅(SiC)是一种很有前途的材料为高功率和效率高功率设备,促进先进、节能的社会。我们正在开发碳化硅晶体和外延晶片使用高质量和成本效益增长技术(合成™*)。新设计的碳化硅功率晶体管和模块与低功率损耗和高闭锁电压也正在开发。我们的电力系统设备将在不久的将来把这些碳化硅电力设备。

*合成:多参数和区域控制碳化硅生长技术

高质量碳化硅晶体和外延片

我们正在开发高质量和大直径碳化硅晶体使用合成™技术,准确地控制温度和反应过程中晶体生长。单晶外延层生长在切片和镜像的碳化硅晶片使用化学气相沉积(CVD)。合成™提供高质量外延晶片与世界顶级均匀性,并使没有缺陷面积超过99%的晶片表面。晶片已经推出的贸易名称下EpiEra™, 2018年被授予今年大奖赛奖的半导体电子材料部门,这是由电子设备行业新闻。
碳化硅功率晶体管印制在外延晶片通过半导体离子注入等过程,绝缘膜的形成,电极形成。