通过整合AI技术开发Milliet-WaveGANHEMT
深学习模型MitrimeWaveGANHEMTs
肯亚西口
传输设备实验室
苏米托莫电组率先全球开发高电流晶体管,即GaN HEMTs高高速智能通信和避免汽车碰撞系统等先进技术支持日常生活的关键构件研发中高效速度至高无上 模拟模型被用于复制设备行为GANHEMTs因其复杂动态和特征被认为难以完全建模
最近,我们大有突破,利用人工智能常用深学习力建设人工神经网络这种方法使我们能够仔细复制千兆波GAN HEMTs行为,因此,我们现在可以创建完全复制实验数据模型,而不必依赖工程师直觉和经验。
Millime-WaveGAN HEMTss-未来信息社会期望下发技术
HEMT半导体设备控制电流Sumitomo电组利用其广度晶体管知识率先开发HEMT并实现商业化,使用有杰出物质的硝化
时代要求无线通信容量更高 答案是千兆波GANHEMT千兆赫波指频率范围为30千兆赫至300千兆赫的无线电波,提供高速高容量传输带,能满足5G通信、自主驱动和空间探索等不同领域的需求千兆波GaNHEMT对高级信号处理和高速数据通信寄予希望,而复杂电路设计分析则构成挑战因此,我们的研究探索创建ANN模型,通过应用AI深入学习
GAN-HEMT
复制米特Wife行为深入学习
神经网络模仿人脑神经系统,大量神经元(神经元)互连并传递信号ANN模型综合大型数据集中的神经元自读数预测特定任务最优输出
ANN模型对毫米波段的应用尚未探索,原因是以复杂波形特征的千差万别复杂波挑战在于过分搭配问题,深学习渗透单个数据点,无法捕捉全数据集的精确趋势因此,我们的智慧引导概念技术约束预测模型完全应用ANN电子电路源成功避免超配并实现破解模型,无可置疑地复制GAN HEMTs在千兆波带中的行为-世界创举
使用开发型ANN模型,原型千兆波GAN放大器并仔细验证计算精度结果表明ANN模型精确预测GANHTs实现这一突破可量化分析高频放大器精密电路设计,有可能促进未来性能提高
高表扬国际大会研究成绩
本研究是世界上首例超高频波段ANN模型,我们有幸有机会参加国际微波专题讨论会,这是一个学术探索技术趋势的重要平台,电信行业多公司和专家都参与其中。新奇和意义研发 在这个声望显赫的阶段得到确认
深学作为变革技术拥有巨大潜力,提供各种应用仅受思想范围限制当前,我正致力于AI自动设计GANHEMTs半导体研究是我的背景, 并进AI编程包含大量试错, 从书籍和互联网收集信息矩阵计算无休止解析是表达深学习所不可缺的,最终我理解了“AI学习”的真正意义。GaNHEMT包含许多尚未解析的物理现象,往往需要研发依赖工程师直觉和经验。提高实验数据质量和数量供AI学习, 有助于更客观分析与精确设计未来,我们打算向客户提供开发模型以显示GANHEMTs的吸引力并帮助在全球范围获取市场份额
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・[会议讲 第14次迭代微电子学专题讲习
・[杂志文章]Journal应用物理132.17(2022年):175302
