2023年4月No.96
特色主题:信息和通信技术的进化,我们的角色
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Co-packaged光学(CPO)开关是吸引注意力的能力降低功耗集成在单一设备电气和光学功能使用硅光子学(SiPh)技术。通过将SiPh芯片接近开关ASIC和缩短电气互连距离,可以减少能耗,同时保持数据率。与表面光学耦合耦合类型CPO模块在有限的空间里,新的光学互连组件与低调,高密度,低损耗,高可靠性是必要的。为了这个目的,我们演示了72 -纤维、二维光纤阵列和一个90度弯头(2 d-fbge (FlexBeamGuidE))。我们开发了一个轻松的保偏光纤弯曲技术(及)。轻松的弯曲及显示一个小半径(R = 2.5毫米),低损耗,高保偏特性。通过结合90度弯曲光纤与二维孔阵列,我们制作2 d-fbge低调的5.5毫米,高密度的24纤维/毫米,低插入损耗小于0.5分贝,高保偏特性的超过20分贝。因此,2 d-fbge提供健壮的、空间和可伸缩的应用表面耦合光纤耦合类型CPO模块。
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介绍了新设计的ultra-high-density (UHD) microduct光纤电缆,安装到microducts使用喷射技术是为了有效地构建光传输数据中心和其他设施的能力。我们microduct电缆范围从96 -纤维864 -光纤电缆,包括288 -纤维电缆具有阻燃特性。的UHD microduct电缆使用自由的丝带,在这个过程中,纤维和分裂重复在纵向和横向方向,允许高纤维密度和有效融合拼接。为了提高cable-blowing性能,我们选择一个较低的薄和轻量级的电缆设计夹克的摩擦材料。可以使用这些microduct光纤电缆在各种环境中,导致了高效、灵活的网络设计适合数据中心和其他客户需求。
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高效率功率放大器产生小的热量和操作小散热功能,使其有效地减少尺寸,重量,通讯设备的成本。因为许多放大器用于大规模的多输入多输出(MIMO),更高的效率需要放大器,和那些基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)正在成为流行尤其是手机基站的应用程序。另一方面,负载调制吸引作为放大器技术提高调制效率。其中,异相放大器是实现更高的调制效率比传统Doherty放大器。在这项研究中,我们进行了一次设计原型的评估我们GaN HEMTs异相放大器使用。结果证实,放大器的效率降低能耗越高了1.1 W /放大器相比,传统的多尔蒂放大器配置。在64年的发射机大规模MIMO基站,达到70.4 W的功率降低,导致基站的小型化。
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近年来,提高电源的效率的重要性设备用于电力控制一直在增加。碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体与优越的材料特性如击穿电场高,热导率高。商业化的SiC MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)已经开始,和市场规模预计在未来进一步扩张虽然硅(Si)目前主要用于电力设备。我们已经开发了一台低导通电阻“v型槽”沟MOSFET (VMOSFET),它使用专利晶面的通道地区。除了晶体管技术,我们一直在开发完整的SiC与VMOSFET模块。本报告介绍了特性,电特性,完整的SiC电源模块的可靠性测试结果(1200 V 400)。该模块包兼容的硅(Si)电源模块方案设计,轻松替代现有的用户如果电源模块。
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住友电气富山有限公司目标是应用Celmet,多孔金属产品,作为电流收集器固体氧化物燃料电池(SOFC)。尼科Celmet特别适合阴极电流收集器形成导电氧化物在高温和high-oxidant氛围。我们报道了燃料电池使用尼科Celmet表现出高功率密度即使没有气流通道的内部连线,因为其高气体扩散系数。在这项研究中,阐明高功率密度的机理,我们调查了影响直流电阻通过应用Celmet电流收集器。我们澄清contactability细胞和Celmet之间提高了塑造Celmet以及细胞的变形。此外,我们发现尼科Celmet可以保持良好的contactability氧化扩张适用于从堆栈的内部压力。
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